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| 동부하이텍, 700V급 LED 조명 칩 제조기술 개발 | 2011.12.13 |
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| - LED 조명이 점차 일반조명을 교체해 LED 칩 수요 크게 증가할 것 - 파운드리 업계 최초 0.35um급 복합전압소자(BCDMOS) 기술 적용 - 부가가치 높은 산업용 아날로그반도체 파운드리로 사업영역 넓혀 동부하이텍은 13일 LED 조명 칩을 생산할 수 있는 700V급 고전압 아날로그반도체 제조공정기술을 개발했다고 밝혔다. 동부하이텍은 그 동안 중·저전압 공정을 기반으로 TV나 노트북 등 일반 가전제품에 사용되는 전력관리칩(PMIC), 직류-교류 변환 컨버터, BLU(Back Light Unit) 칩 등을 생산해왔다. 이번에 고전압 제조공정기술 개발함으로써 LED 조명 칩 등 부가가치가 높은 산업용 아날로그반도체까지 사업영역을 넓혔다. LED조명은 에너지를 30~50%까지 대폭 절감할 수 있는 장점 때문에 백열등과 형광등을 대체하는 차세대 조명제품으로 자리잡고 있다. 최근 우리나라를 비롯해 미국, 일본, 유럽 등 선진국들이 정책적으로 공공조명을 LED조명으로 교체하고 있으며, 특히 중국은 앞으로 5년 후에는 백열등의 생산과 판매를 전면 중단한다. 이에 따라 LED조명 칩의 수요도 크게 증가할 것으로 기대하고 있다. 이번에 동부하이텍이 개발한 고전압 제조기술은 가정이나 건물, 공장 등의 산업현장에서 사용되는 LED조명을 구동하는 칩을 생산할 수 있는 기술이다. 이 LED 조명 칩은 LED 발광 다이오드들을 조정하여 조명의 밝기와 화질의 색상 등을 조절한다. 또한 이 칩은 외부에서 바로 유입되는 220V의 전압을 받아서 조정하는 아답터의 기능도 하기 때문에, 이 칩을 생산하기 위해서는 반드시 700V 이상의 고전압을 지원하는 반도체 제조공정기술이 필요하다. 일반 가전제품에 탑재되는 반도체의 경우 가전제품 내에 별도로 자체 아탑터를 채택하여 220V의 외부전압을 20~30V의 내부전압으로 감압하기 때문에, 아답터용 전력관리칩(PMIC)을 제외하고는 고전압 제조공정 기술이 필요하지 않다. 특히 동부하이텍이 개발한 700V 복합전압소자(BCDMOS) 제조공정기술은 파운드리 업계 최초로 0.35미크론급 기술을 기반으로 개발했다. 현재 주요 파운드리 업체의 경우 0.5미크론급이나 1.0미크론급 공정기술을 사용해 LED 조명 칩을 생산하고 있다. 최근 들어 LED 조명의 색상이 다양하고 섬세해지면서 여러 기능들이 추가되었기 때문에 칩의 크기가 커지고 있었으며, 칩의 크기를 줄이기 위한 미세화공정의 필요성이 요구되고 있었다. 동부하이텍은 이 공정기술을 개발함으로써 웨이퍼 당 칩 생산량을 늘려 가격 경쟁력을 확보하여 시장을 선점한다는 전략이다. 또한 동부하이텍은 칩 내부에서 기억과 저장 기능을 수행하는 이이피롬(EEPROM)* 메모리 IP(Intellectual Property, 설계자산)를 무상으로 제공하여 팹리스들이 칩을 설계하는 기간을 단축할 수 있게 했다. 팹리스들은 이 IP에 색상 조절 등 다양한 기능을 포함한 각종 데이터를 저장하여 설계함으로써 칩의 성능을 향상시킬 수 있게 됐다. 동부하이텍은 “이번 공정은 LED 조명 칩뿐만 아니라 의료기기 및 통신용 칩 제조에도 적합하다”고 밝히고, “조만간 산업용 모터 구동 칩 제조에 최적화된 700V 복합전압소자 제조공정기술도 개발을 완료해 세탁기·냉장고 등의 대형가전에서 자동차·로봇 등의 고부가가치 첨단 산업분야에 이르기까지 아날로그반도체 사업영역을 넓혀갈 것”이라고 강조했다. <용어 해설> EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) EEPROM은 전원 공급이 끊기더라도 정보를 유지·기억하는 비휘발성 메모리 중 하나로, 전기적으로 메모리의 내용을 지우거나 쓸 수 있는 메모리이다. |
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